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安徽省2023届九年级下学期教学质量监测（六）化学试卷答案

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(4)GaN是第三代半导体材料的研究热点,在干燥的NH3气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN、GaP、GaAs晶体类型与SiC相似,熔点如下表所示,其熔点差异的原因是。

(3)一定温度下,在恒压密闭容器中充入足量的CuFeO(s)、Cu2Fe2O5(s))、C4H10(g),CH(g),仅发生反应②,达到平衡后,再充人少量CH(g),平衡(填“正向”、“逆向”或“不”)移C4H10(g),动,再次达到平衡时,丁烷的平衡转化率(填“增大”、减小”或“不变”)。

(2)“除铁”时,为了尽可能多地得到Cu2(OH)3CO3应加人的“试剂或”NH1H2O^m)调节pH,pH调节范围为,任意写出加人”试剂A’”反应生成Fe(.OH)离子方程式,

安徽省2023届九年级下学期教学质量监测（六）化学